PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块
基本半导体推出兼容EasyPACK™ 2B封装的工业级全碳化硅MOSFET功率模块BMF240R12E2G3，该产品基于高性能 6英寸晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
产品优势
- 更稳定导通电阻
新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的Rds(on)波动。
- 更优异抗噪特性
宽栅-源电压范围（Vgss: -10V~+25V），及更高阈值电压范围（Vth: 3V~5V），便于栅极驱动设计。
- 更高可靠性
高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入，改善长期高温度冲击循环的CTE失配。
应用领域：燃料电池DCDC、数据中心UPS、大功率快速充电桩等。
碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。
基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上，基本半导体还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件，以更好地满足客户需求。
基本半导体第二代碳化硅MOSFET亮点
更低比导通电阻：第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。
更低器件开关损耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。
更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。
更高工作结温：第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。
